TPS53353DQPR，集成電路的封裝種類①直插式封裝直插式封裝集成電路是引腳插入印制板中，然后再焊接的一種集成電路封裝形式，主要有單列式封裝和雙列直插式封裝。其中單列式封裝有單列直插式封裝(SingleInlinePackage，縮寫為SIP和單列直插式封裝(Zig-ZagInlinePackage，縮寫為ZIP)，單列直插式封裝的集成電路只有一排引腳，單列曲插式封裝的集成電路一排引腳又分成兩排進(jìn)行安裝。雙列直插式封裝又稱DIP封裝(DualInlinePackage)，這種封裝的集成電路具有兩排引腳。適合PCB的穿孔安裝；易于對(duì)PCB布線；安裝方便。雙列直插式封裝的結(jié)構(gòu)形式主要有多層陶瓷雙列直插式封裝、單層陶瓷雙列直插式封裝、引線框架式封裝等。小規(guī)模集成電路迅速發(fā)展到大規(guī)模集成電路，使電子產(chǎn)品向著高效能低能耗高精度高穩(wěn)定智能化的方向發(fā)展。北京貿(mào)易TPS53353DQPR分銷商

在使用TPS53353DQPR開始布局工作之前，必須考慮某些要點(diǎn)。

電源部件應(yīng)放置在PCB的一側(cè)（焊接側(cè)）。應(yīng)插入至少一個(gè)內(nèi)部平面，并將其接地，以屏蔽和隔離小信號(hào)跡線與噪聲電源線。

所有敏感的模擬跡線和組件，如VFB、PGOOD、TRIP、MODE和RF，應(yīng)遠(yuǎn)離高壓開關(guān)節(jié)點(diǎn)，如LL、VBST，以避免耦合。使用內(nèi)層作為接地平面，并屏蔽電源跡線和組件的反饋跡線。

將VIN去耦電容器盡可能靠近VIN和PGND引腳，以至大限度地減少輸入交流電流回路。

因?yàn)門PS53353DQPR根據(jù)VOUT電容器兩端的電壓控制輸出電壓，所以分壓器的頂側(cè)電阻器應(yīng)連接到VOUT電容的正節(jié)點(diǎn)。底側(cè)電阻器的GND應(yīng)連接到設(shè)備的GND焊盤。從這些電阻器到VFB引腳的跡線應(yīng)該短而薄。

將頻率設(shè)置電阻器（RF）、OCP設(shè)置電阻器（RTRIP）和模式設(shè)置電阻器（RMODE）盡可能靠近設(shè)備。如果適用，使用公共GND過孔將它們連接到GND平面。

將VDD和VREG去耦電容器盡可能靠近設(shè)備。確保為每個(gè)去耦電容器提供GND過孔，并使環(huán)路盡可能小。

定義為開關(guān)節(jié)點(diǎn)的PCB跡線，連接LL引腳和電感器的高壓側(cè)，應(yīng)盡可能短和寬。

從陶瓷輸出電容器的端子連接紋波注入VOUT信號(hào)（圖8-4中C1電容器的VOUT側(cè)）。交流耦合電容器應(yīng)放置在設(shè)備附近，R7和C1可放置在功率級(jí)附近。

上?？孔V渠道TPS53353DQPR性價(jià)比電子元件的基礎(chǔ)是電阻器。將電阻引入電路中的無源電子元件。使用電阻器可以減少電流，晶體管的設(shè)置偏置等。

TPS53353DQPR

降壓開關(guān)穩(wěn)壓器，矩形脈沖被提供給晶體管的基極。在脈沖的每個(gè)周期期間，晶體管在飽和和截止之間變化。這會(huì)在LC濾波器的輸入端產(chǎn)生矩形電壓。阻斷濾波器輸入電壓的交流分量，允許直流分量通過濾波器。當(dāng)晶體管保持開關(guān)時(shí)，平均值總是小于輸入電壓。

升壓開關(guān)穩(wěn)壓器，矩形脈沖被提供給晶體管的基極。在脈沖的每個(gè)周期期間，晶體管在飽和和截止之間變化。當(dāng)晶體管飽和時(shí)，電流流過電感器。當(dāng)晶體管切換到截止時(shí)，由于其周圍的磁場(chǎng)突然崩潰，將在電感線圈上感應(yīng)出大的電壓。因此，電流保持在相同方向上流動(dòng)。該電路稱為“升壓”開關(guān)調(diào)節(jié)器，因?yàn)殡姼衅鞲袘?yīng)的電壓將大于輸入電壓。

極性反轉(zhuǎn)開關(guān)穩(wěn)壓，當(dāng)晶體管飽和時(shí)，電流流過電感。當(dāng)晶體管切換到截止時(shí)，由于其周圍的磁場(chǎng)突然崩潰，將在電感線圈上感應(yīng)出大的電壓。因此，電流保持在同一方向流動(dòng)。由于晶體管截止，的路徑是通過電容器。如果檢查通過電容器的充電電流的方向，則發(fā)現(xiàn)輸出電壓為負(fù)。

TPS53353DQPR是一種D-CAPTM模式，20-a同步切換器，帶有集成MOSFET。它是為易于使用、低外部組件數(shù)量和空間意識(shí)電源系統(tǒng)而設(shè)計(jì)的。該器件具有5.5-mΩ/2.2-mΩ集成MOSFET、精確1%、0.6-V參考電壓和集成升壓開關(guān)。具有競(jìng)爭(zhēng)力的功能包括：1.5V至15V的轉(zhuǎn)換輸入電壓范圍，非常低的外部元件數(shù)量，用于超快瞬態(tài)的D-CAPTM模式控制，自動(dòng)跳過模式操作，內(nèi)部軟啟動(dòng)控制，可選擇頻率，無需補(bǔ)償。轉(zhuǎn)換輸入電壓范圍為1.5伏至15伏，電源電壓范圍為4.5伏至25伏，輸出電壓范圍為0.6伏至5.5伏。集成電路英文為縮寫為IC，也俗稱芯片。在電路中用“U”表示。

TPS53353DQPR，集成電路的封裝種類，厚膜封裝厚膜集成電路就是把的集成電路芯片與相關(guān)的電容、電阻元件都集成在一個(gè)基板上，然后在其外部采用標(biāo)準(zhǔn)的封裝形式，并引出引腳的一種模塊化的集成電路。

復(fù)合器件指由多個(gè)相同或不同器件制造或組合在一起的器件，稱為復(fù)合器件。

電阻復(fù)合采用多個(gè)阻值完全相同的電阻把一端并接在一起作為公共端構(gòu)成的電阻排。

電容復(fù)合采用多個(gè)容量完全相同的單體電容把其一端并接起來作為公共端構(gòu)成的電容排或者在同一制造中封裝在一起構(gòu)成。

電感與電容復(fù)合指把多個(gè)電感線圈與電容按一定連接方式連接在一起構(gòu)成，多用于濾波器。

半橋堆由兩個(gè)整流二極管封裝在一起構(gòu)成，多用于整流電路等。

全橋堆簡稱橋堆，由四個(gè)整流二極管按一定方式連接在一起構(gòu)成，常用于整流電路中。

帶分壓電阻（帶阻）三極管指基極與發(fā)射極之間接有分壓電阻的三極管。

帶阻尼二管及分流電阻的三極管

復(fù)合管（達(dá)林頓管）由兩個(gè)三極管復(fù)合而成，復(fù)合管的極性與前管極性相同，復(fù)合管的放大倍數(shù)為兩管放大倍數(shù)乘積。

光電耦合器把一個(gè)發(fā)光二極管和一個(gè)光敏三極管封裝在一起構(gòu)成光電耦合器。常見有四腳光電耦合器和六腳光電耦合器。集成電路按其功能、結(jié)構(gòu)的不同，可以分為模擬集成電路、數(shù)字集成電路和數(shù)/模混合集成電路三大類。四川靠譜渠道TPS53353DQPR性價(jià)比

普通的電阻電容晶體管等單個(gè)電子元件統(tǒng)稱分立元件。分立元件就是功能單一，內(nèi)部無其它元件功能單元。北京貿(mào)易TPS53353DQPR分銷商

TPS53353DQPR，集成電路，電感器的種類：

空芯電感：指線圈繞在空心支架上或直接繞制而成的電感。

磁芯電感：指線圈繞在磁芯上（即線圈里面有磁芯）形成的。

銅芯電感：指線圈繞在銅芯上的電感。

鐵芯電感：指線圈繞在鐵芯上的電感。

帶抽頭電感：指線圈上抽出一個(gè)或多個(gè)抽頭的電感。

電感的特性具有通直流阻交流，通低頻阻高頻的特性。

電感的自感作用當(dāng)通過電感線圈的電流發(fā)生變化時(shí)，線圈將產(chǎn)生一個(gè)自感電動(dòng)勢(shì)來阻礙電流的變化，這種作用叫電感的自感作用。北京貿(mào)易TPS53353DQPR分銷商

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